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Bild	Serie/Typ	Hersteller	Produktgruppe	Artikelkategorie	Hauptkategorie	Sperrspannung [V]	RDS on [mOhm]	Nennstrom [A]	Nennstrom [mA]	Produkt Feature
	G3R20MT17-CAL	GeneSiC	Bare Die	SiC Mosfets	Aktive Komponenten	1700	20	75	75000	-G3R™ Technology with +15 V Gate Drive -Softer RDS (ON) v/s Temperature dependency -LoRing™ - Electromagnetically Optimized Design -Smaller RG(INT) and Lower QG -Low Device Capacitances (Coss, CRSS) -Superior Cost-Performance Index -Robust Body Diode with Low VF and Low QRR -Industry-Leading UIL and short-Circuit Robustness	Anfragen

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